| 主权项 |
1.一种转移至少一界定在初始基材(20)内之固体材料薄膜(25)的方法,其特征在于其包括下列步骤:--在初始基材(20)内,于一相当于所需之薄膜厚度的深度处形成一层包合物(21)的步骤,这些包合物系被设计用来形成接着被植入之气态化合物用的陷阱;--植入该气态化合物的步骤,这些气态化合物的植入能量系为其在基质(20)内之平均射程范围相当于包合物层(21)之深度者,被植入的气态化合物的剂量系足以造成微空隙之形成,该微空隙可能沿着薄膜可能与基材之其余部分分离之处而产生一断裂平面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中初始基材系由一个固体元件所构成,该固体元件支一或多个该固体材料的薄膜必须被界定于内之薄膜结构。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该结构的全部或部分系利用取向附生法而被获得。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该结构可以为基材(可以是或可以不是取向附生载体)之其余部分可在薄膜已被转移后再被用来转移另一薄膜者。5.如申请专利范围第2项之方法,其中包合物层系由一薄膜沈积技术所形成。6.如申请专利范围第5项之方法,其中包合物层(3)系由产生柱体所构成。7.如申请专利范围第5项之方法,其中包合物层(7)系由产生颗粒接头所构成。8.如申请专利范围第1项之方法,其中包合物对该气态化合物具有一化学亲和力。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该包合物系源生自形成包合物层之材料及其相邻之基材区域间的参数不符。10.如申请专利范围第2项之方法,其中包合物层系藉由一蚀刻基材(13)之层(15)的技术所形成。11.如申请专利范围第1项之方法,其中包合物层系藉由将元素植入基材层而被形成。12.如申请专利范围第11项之方法,其中以能增加陷阱效率之热处理来辅助元素之植入。13.如申请专利范围第11项之方法,其中包合物之形态外观藉由一热处理而被改良。14.如申请专利范围第2项之方法,其中包合物层系藉由热处理位于薄膜结构内之薄膜而被获得。15.如申请专利范围第2项之方法,其中包合物层系藉由对该薄膜结构内之薄膜施加应力而被获得。16.如申请专利范围第1项之方法,其中气态化合物系藉由轰置选自于中性化合物及离子之化合物的方式而被植入。17.如申请专利范围第1项之方法,其中气态化合物系藉由一种选自于下列之方法而被植入:等离子体扩散法、热扩散法及结合热扩散之等离子扩散法及/或辅以电极化的扩散法。18.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法包括一能减弱包合物层内之基材的热处理步骤,以使薄膜(25)及基材(26)之其余部分之间能分离。19.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法也包括一个将被界定于基材内的薄膜(25)在与基材之其余部分(26)分离后令该薄膜紧密接触一个该薄膜将会结合的载体(23)之步骤。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该紧密接触系藉由晶圆结合法。21.如申请专利范围第18项之方法,其中减弱基材之热处理步骤系藉由脉冲式加热法来完成。22.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法包括使用机械应力,以助于薄膜与基材其余部分之间的分离。23.如申请专利范围第1项之方法,其系供用于从一初始基材来转移一薄矽膜。24.如申请专利范围第1项之方法,其系供用于从一初始基材来转移一III-V半导体材料薄膜。25.如申请专利范围第1项之方法,其系供用于转移一个本身由一薄膜构成之结构所构成的薄膜。26.如申请专利范围第1项之方法,其中薄膜在其被转移以形成一积体电路之前被至少部分地处理过。27.如申请专利范围第1项之方法,其中薄膜在其被转移以形成一光电组件之前被至少部分地处理过。图式简单说明:第一图系为形成于初始载体上之基材的剖面图,该初始载体上系使用溅射技术,由于柱状生长而形成包括一层包合物的薄膜结构;第二图系为形成于初始载体上之基材的剖面图,该初始载体上系使用溅射技术,由于柱状生长而形成包括一层包合物的薄膜结构;第三图及及第四图系为显示结晶组合物之栅格参数对倒入组合物之元素含量的函数图;第五图系为基材的剖面图,其上以蚀刻法产生包合物;第六图A到第六图D显示本发明的方法,其中薄膜转移到强化器上;第七图系为基材整个的剖面图,该基材可以用来以本发明之方法获得SOI结构。 |
