| 摘要 |
Um bei der Fertigung eines Halbleiterwafers, auf dem mittels Drahtbonden Bondhügel auszubilden sind, auf Bondinseln mühelos Bondhügel mit einheitlicher Kopfhöhe der Bondhügel auszubilden, weist ein Fertigungsverfahren für Halbleiterwafer die folgende Schritte auf: Ausbilden von Bondhügeln mittels Drahtbonden auf Bondinseln, die auf einer Halbleiterwaferoberfläche ausgebildet sind, Ausbilden einer Harzschicht, indem ein Harz so auf die Oberfläche aufgebracht wird, daß die Bondhügel überdeckt werden, und Oberflächenbearbeitung der Bondhügel durch Schleifen der Harzschicht und Bearbeiten der Bondhügelköpfe auf einheitliche Höhe. |
