发明名称 半导体记忆体装置及资料写入方法
摘要 本发明揭示一种包括复数个记忆体单元之半导体记忆体装置。复数个记忆体单元之一包括:一可变电阻,具有一电阻值,其可根据施加至其之电压而可逆变化;及一电晶体,连接至该可变电阻。
申请公布号 TW200425149 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092134026 申请日期 2003.12.03
申请人 夏普股份有限公司 发明人 森本英德;井上刚至
分类号 G11C16/10 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本
您可能感兴趣的专利