| 摘要 |
<p>Výkonový polovodičový modul IGBT obsahuje v pouzdru (1) substrát (2), alespoň dva polovodičové čipy (4) vždy se dvěma hlavními elektrodami (5, 6), a pro každý polovodičový čip (4) kontaktní díl (3). Vždy první hlavní elektroda (5) má elektrický kontakt se substrátem (2) a vždy druhá hlavní elektroda (6) má elektrický kontakt s kontaktním dílem (3). Mezi hlavní elektrodou (5, 6) a substrátem (2) nebo kontaktním dílem (3) je upravena vrstva (7), tato vrstva (7) obsahuje materiál, který společně s polovodičovým materiálem může vytvořit sloučeninu nebo slitinu, jejíž teplota tavení leží pod teplotou tavení polovodičového materiálu, a pouzdro (1) neobklopuje polovodičové čipy (4) hermeticky. Tloušťka vrstvy (7) se rovná alespoň polovině tloušťky polovodičového čipu (4).ŕ</p> |
