通过离子注入实现晶粒更加细小的鈷硅化物工艺

摘要

本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了能够在更先进的技术下满足结漏电的要求，需要对现有的钴硅化物工艺进行改进，方法之一是在CoSi或者CoSi₂形成以后，通过离子注入的方法，将不同种类的离子，以中等剂量、较高能量注入到硅衬底中，通过打碎CoSi的晶粒以便于在随后的RTP中形成晶粒与普通工艺相比更加细小的CoSi₂。通过这种方法，可以令钴硅化物可以在0.13μm以下的工艺中继续使用，并获得令人满意的性能。

主权项

1、一种实现晶粒更加细小的集成电路钴硅化物的工艺，其特征在于在形成钴硅化物CoSi或者Co2Si后，通过离子注入的方法，将不同种类的离子注入穿过CoSi到衬底中，通过随后的第二次快速热退火，以形成晶粒更加细小的钴硅化物。