| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件具有半导体基底和设置在其上的多层布线排列。多层布线排列包括至少一个其中形成有金属布线图案(38、40、54、56、70、72、92、94、114、116)的绝缘层结构。绝缘层结构包括第一SiOCH层(28、46、60、82、102)、在第一SiOCH层上形成的第二SiOCH层(30、48、62、84、104)、和在第二SiOCH层上形成的二氧化硅(SiO<SUB>2</SUB>)层(32、50、64、86、106)。第二SiOCH层以具有低于第一SiOCH层的碳(C)密度、低于第一SiOCH层的氢(H)密度、高于第一SiOCH层的氧(O)密度为特征。 | ||
| 申请公布号 | CN1542958A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN200410002424.8 | 申请日期 | 2004.01.29 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 大音光市;宇佐美达矢;森田升;大西贞之;有田幸司;北尾良平;佐佐木洋一 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L23/532;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：半导体基底；及设置在所述半导体基底上的多层布线排列，所述多层布线排列包括至少一个具有形成在其中的金属布线构造(38、40、54、56、70、72、92、94、114、116)的绝缘层结构，其中所述绝缘层结构包括第一SiOCH层(28、46、60、82、102)、形成在所述第一SiOCH层上的第二SiOCH层(30、48、62、84、104)、和形成在所述第二SiOCH层上的二氧化硅(SiO2)层(32、50、64、86、106)，且所述第二SiOCH层的特征是碳(C)密度小于所述第一SiOCH层的碳(C)密度，氢(H)密度小于所述第一SiOCH层的氢(H)密度，氧(O)密度大于所述第一SiOCH层的氧(O)密度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||