| 主权项 |
1.一种预测制程参数偏移之方法,用以决定至少一制程机台之制程参数是否偏移,包括下列步骤:利用至少一检测机台产生至少一统计制程控制表;输入上述统计制程控制表,并且定义上述统计制程控制表对应之至少一检测参数和至少一制程参数以及定义上述检测参数和上述制程参数之一关系表;检查上述统计制程控制表是否符合一既定判断条件;当上述既定判断条件符合时,由上述检测参数中决定对应于上述既定判断条件之第一参数;根据上述关系表,由上述制程参数中决定对应于上述第一参数之第二参数;以及由上述第二参数中决定上述制程机台之偏移参数。2.如申请专利范围第1项所述之预测制程参数偏移之方法,其中由上述第二参数中决定上述制程机台之偏移参数之步骤中更包括:输入对应于上述第二参数之相关制程参数记录;以及根据上述相关制程参数记录,决定上述偏移参数。3.如申请专利范围第1项所述之预测制程参数偏移之方法,其中上述检测参数为薄膜厚度、薄膜厚度的均匀度、溅镀率、溅镀率的均匀度、沉积和溅镀比、沉积和溅镀比的均匀度、折射度及薄膜应力之检测参数。4.如申请专利范围第3项所述之预测制程参数偏移之方法,其中上述制程参数为氧气隔离环零组件、功率零组件、氩气上面零组件、氩气侧面零组件、氧气的喷嘴零组件、氧气上面零组件、氧气侧面零组件、矽甲烷的喷嘴零组件、矽甲烷上面零组件、矽甲烷侧面零组件及反应室压力零组件。5.如申请专利范围第3项所述之预测制程参数偏移之方法,其中上述既定判断条件为依据统计制程控制规则、光阻规则所订定半导体产品之未达标准范图。6.一种储存媒体,其储存一电脑程式,用以载入至一电脑系统中并且执行一预测制程参数偏移之方法,上述方法包括下列步骤:输入一统计制程控制表,上述统计制程控制表对应于至少一检测参数和至少一制程参数;输入一关系表,用以定义上述检测参数和上述制程参数之关系;检查上述统计制程控制表是否符合一既定判断条件;当上述既定判断条件符合时,由上述检测参数中决定对应于上述既定判断条件之第一参数;根据上述关系表,由上述制程参数中决定对应于上述第一参数之第二参数;以及由上述第二参数中决定一制程机台之偏移参数。7.如申请专利范围第6项所述之储存媒体,其中上述电脑程式所执行由上述第二参数中决定上述制程机台之偏移参数之步骤中更包括:输入对应于上述第二参数之相关制程参数记录;以及根据上述相关制程参数记录,决定上述偏移参数。8.如申请专利范围第6项所述之储存媒体,其中上述检测参数为薄膜厚度、薄膜厚度的均匀度、溅镀率、溅镀率的均匀度、沉积和溅镀比、沉积和溅镀比的均匀度、折射度及薄膜应力之检测参数。9.如申请专利范围第6项所述之储存媒体,其中上述制程参数为氧气隔离环零组件、功率零组件、氩气上面零组件、氩气侧面零组件、氧气的喷嘴零组件、氧气上面零组件、氧气侧面零组件、矽甲烷的喷嘴零组件、矽甲烷上面零组件、矽甲烷侧面零组件及反应室压力零组件。10.如申请专利范围第6项所述之储存媒体,其中上述既定判断条件为依据统计制程控制规则、光阻规则所订定半导体产品之未达标准范围。11.一种预测制程参数偏移之系统,用以决定至少一制程机台之制程参数是否偏移,包括:一接收模组,用以接收至少一统计制程控制表,上述统计制程控制表对应于至少一检测参数和至少一制程参数;一检测模组,耦接上述检测机台,储存有一关系表,用以检查上述统计制程控制表是否符合一既定判断条件,决定对应于上述既定判断条件之第一参数,其中上述关系表定义上述检测参数和上述制程参数之关系;以及一偏移判断模组,根据上述关系表,由上述制程参数中决定对应于上述第一参数之第二参数,并且由上述第二参数中决定一制程机台之偏移参数。12.如申请专利范围第11项所述之预测制程参数偏移之系统,其中上述检测模组判断当上述既定判断条件符合时,由上述检测参数中决定对应于上述既定判断条件之第一参数。13.如申请专利范围第11项所述之预测制程参数偏移之系统,其中上述检测参数为薄膜厚度、薄膜厚度的均匀度、溅镀率、溅镀率的均匀度、沉积和溅镀比、沉积和溅镀比的均匀度、折射度及薄膜应力之检测参数。14.如申请专利范围第11项所述之预测制程参数偏移之系统,其中上述制程参数为氧气隔离环零组件、功率零组件、氩气上面零组件、氩气侧面零组件、氧气的喷嘴零组件、氧气上面零组件、氧气侧面零组件、矽甲烷的喷嘴零组件、矽甲烷上面零组件、矽甲烷侧面零组件及反应室压力零组件。15.如申请专利范围第11项所述之预测制程参数偏移之系统,其中上述既定判断条件为依据统计制程控制规则、光阻规则所订定半导体产品之未达标准范围。图式简单说明:第1图系显示依据本发明实施例之半导体制造预测制程参数偏移方法之流程图;第2图系显示依据本发明实施例之统计制程控制表与关系表中之检测参数及制程参数;第3图系显示依据本发明实施例之半导体制造预测制程参数偏移系统之系统架构;第4图系显示依据本发明实施例之储存媒体之示意图。 |
