电压控制的容性元件及半导体集成电路

摘要

N阱设置在P型衬底的上表面中，栅极绝缘膜和栅电极设置其上，栅电极连接到栅极端子。两个p⁺扩散区设置在N阱的表面中的两个区域中，两个区域之间夹有栅电极，p⁺扩散区连接到地电位布线。而且，n⁺扩散区设置在N阱的表面中，并连接到阱的端子。因此，在变抗器元件的栅电极和N阱之间产生电容。当降低栅极端子的电位时，两个p⁺扩散区吸收来自沟道区作为少数载流子的空穴。

主权项

1.一种电压控制的容性元件，包括：衬底；第一导电类型区，设置在所述衬底表面中并施加有第一电位；第二导电类型区，设置在所述第一导电类型区的部分表面内并施加有没有在所述第一导电类型区和所述第二导电类型区之间产生正pn结的第二电位；绝缘膜，设置在所述第一导电类型区和所述第二导电类型区上；导电膜，设置在所述绝缘膜的一区域上并施加有第三电位，其中该区域是除直接位于所述第二导电类型区上的区域之外的至少一部分区域，其中电容由所述第一导电类型区、所述绝缘膜和所述导电膜产生。