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发明名称
可防止因干扰累积造成资料变化之半导体记忆装置
摘要
更新区侦测部(22)分割半导体记忆体区块为执行更新单位以分别作为更新区,并侦测写入目标磁区包括在哪个更新区。每当发生对磁区写入时,更新执行部(23)依序更新由更新区侦测部(22)所侦测出之包括在更新区的磁区。因此,可防止增加特定磁区的写入次数,并且更新可防止因干扰累积造成资料变化。
申请公布号
TW200416739
申请公布日期
2004.09.01
申请号
TW092122071
申请日期
2003.08.12
申请人
瑞萨科技股份有限公司;瑞萨解决设计股份有限公司
发明人
石本真一
分类号
G11C16/06
主分类号
G11C16/06
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
日本
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