发明名称 可防止因干扰累积造成资料变化之半导体记忆装置
摘要 更新区侦测部(22)分割半导体记忆体区块为执行更新单位以分别作为更新区,并侦测写入目标磁区包括在哪个更新区。每当发生对磁区写入时,更新执行部(23)依序更新由更新区侦测部(22)所侦测出之包括在更新区的磁区。因此,可防止增加特定磁区的写入次数,并且更新可防止因干扰累积造成资料变化。
申请公布号 TW200416739 申请公布日期 2004.09.01
申请号 TW092122071 申请日期 2003.08.12
申请人 瑞萨科技股份有限公司;瑞萨解决设计股份有限公司 发明人 石本真一
分类号 G11C16/06 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本