| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括透明绝缘衬底，设置在透明绝缘衬底质上方的下遮光膜，设置在下遮光膜上方的基础层间膜，设置在基础层间膜上方的半导体膜。薄膜晶体管还包括形成在基础层间膜和半导体膜之间界面处的凹凸，设置在半导体膜上方的栅极绝缘膜和设置在栅极绝缘膜上方的栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1521858A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN200410003727.1 | 申请日期 | 2004.02.04 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 奥村展 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/136 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，包括：透明绝缘衬底；设置在所述透明绝缘衬底上方的下遮光膜；设置在所述下遮光膜上方的基础层间膜；设置在所述基础层间膜上方的半导体膜，所述半导体膜由多晶硅形成；形成在所述基础层间膜和所述半导体膜之间界面处的凹凸；设置在所述半导体膜上方的栅极绝缘膜；和设置在所述栅极绝缘膜上方的栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||