发明名称 能选择执行存储体的自刷新操作的动态随机存取存储器
摘要 一种能够选择性地仅针对多个存储体的一部分执行自刷新操作的动态随机存取存储器(DRAM),包括多个用于选择存储体存储单元字行的行译码器、用于产生在自刷新模式期间连续变化的内部地址的地址发生器、刷新存储体指定电路和存储体选择译码器。所述自刷新操作仅仅针对所选择的存储体或其中已经存储了数据的存储体执行,从而使功率损耗最小。
申请公布号 CN1162867C 申请公布日期 2004.08.18
申请号 CN00102790.5 申请日期 2000.01.12
申请人 三星电子株式会社 发明人 崔钟贤;徐东一;罗钟植
分类号 G11C11/406;G11C11/408 主分类号 G11C11/406
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 马莹
主权项 1.一种动态随机存取存储器(DRAM),包括具有多个以列和行排列的存储单元的多个存储体,其中,所述DRAM在自刷新模式下能够选择性地对存储在每个存储体中的数据进行刷新,所述DRAM包括:多个行译码器,用于选择所述存储体的存储单元的字行;一个地址发生器,用于在自刷新模式期间产生连续变化的内部地址;对应于各存储体的多个电压发生器(219-1~219-4),用于向各个存储体提供内部电压;一个刷新存储体指定电路,用于产生用于指定将被刷新的一个存储体的刷新存储体指定信号;和一个存储体选择译码器,用于根据所述内部地址的信息指定将被所述刷新存储体指定信号刷新的一个或多个存储体,并将刷新地址提供给与被指定存储体对应的行译码器,并且根据刷新存储体指定信号,分别将译码信号(PREF a~PREF d)提供给对应于所指定的存储体的电压发生器;其中,多个电压发生器中的每一个被使能,以响应相应的译码信号。
地址 韩国京畿道