Halbleiterlaservorrichtung

摘要

Eine Halbleiterlaservorrichtung hat ein -GaAs Substrat (1). Auf dem n-GaAs Substrat (1) sind abwechselnd eine nb-AlGaInP Deckschicht (2), eine AlGaInP/GaInP MQW aktive Schicht (3), eine p-AlGaInP erste Deckschicht (4), eine einlagige p-Al¶x¶Ga¶1-x¶As-Ätzstoppschicht (5), eine p-AlGaInP zweite Deckschicht (7) mit einem streifenförmigen Vorsprung (6) und eine p-GaAs Kontaktschicht (8) vorgesehen. Der Anteil, welcher nicht dem streifenförmigen Vorsprung (6) der p-AlGaInP zweiten Deckschicht (7) entspricht, ist mit einem isolierenden Film (9) bedeckt. Der Brechungsindex von der p-Al¶x¶Ga¶1-x¶As-Ätzstoppschicht (5) gleicht nahezu dem Brechungsindex von jeder der Deckschichten (2), (4) und (7).