半导体器件和固体摄象器件的制造方法

摘要

在存在着具有跨越和不跨越连接位置的区域的布线层的半导体器件中，由于在用连接曝光形成具有跨越连接位置的区域的布线层时，考虑对准裕度进行图形形成，故比起用成批曝光工艺形成的情况来，在布线宽度、布线间间隔方面是不利的。在具有多个布线层的半导体器件的制造方法中，其特征在于：第1布线层，采用把所希望的图形分割成多个，把上述分割后的图形彼此连接起来进行曝光的办法进行图形形成，第2布线层，采用用成批曝光工艺的办法进行图形形成。

主权项

1.一种具有多个布线层的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：采用把所需图形分割成多个图形并把上述分割后的图形彼此连接起来进行曝光的办法，图形形成第1布线层，其中，该连接位置被形成为与用上述第1布线层形成的布线平行：用成批曝光工艺图形形成用来形成具有与上述连接位置交叉的区域的第2布线层。