发明名称 |
PROCEDIMIENTO PARA LA RETIRADA EN UNA SOLA OPERACION DE UN ELEMENTO RESISTENTE Y UNA CAPA PROTECTORA DE PARED LATERAL. |
摘要 |
La invención se refiere a un procedimiento para eliminar conjuntamente el material aislante innecesario y la película protectora de las paredes laterales después del ataque químico en un proceso con protección de paredes laterales, haciendo posible simplificar el proceso para la preparación de semiconductores, etc. El procedimiento, de acuerdo con la presente invención, comprende eliminar el material aislante innecesario (3) que queda después del ataque en un procedimiento de protección de paredes laterales con una marca aislante (3) presente en el sustrato semiconductor (2) como una máscara, y una película protectora de las paredes laterales (4) depositada en las paredes laterales (22) de la marca, dicho procedimiento comprende los pasos de aplicar una hoja adhesiva sensible a la presión (1) a dicho sustrato (2), calentar la hoja adhesiva sensible a la presión (1) bajo presión de forma que el adhesivo sensible a la presión (11) se ponga en contacto con las paredes laterales (22) de la marca (4) y después pelar conjuntamente dicha hoja adhesiva sensible a la presión (1), el citado material aislante (3) y la citada película protectora de las paredes laterales (4) fuera del sustrato. |
申请公布号 |
ES2205440(T3) |
申请公布日期 |
2004.05.01 |
申请号 |
ES19980901544T |
申请日期 |
1998.02.06 |
申请人 |
NITTO DENKO CORPORATION |
发明人 |
TOYODA, EIJI;NAMIKAWA, MAKOTO;HASHIMOTO, KOUICHI;SHIRAI, SELICHIRO |
分类号 |
C09J7/02;C09J5/00;G03F7/34;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213;(IPC1-7):G03F7/34;G03F7/42;H01L21/306 |
主分类号 |
C09J7/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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