发明名称 用于制造微电子、微光电或微机械装置之具有吸气材料之整合沈积物的支撑件
摘要 说明一种支撑件(10;20)之不同实施例,该支撑件系用于制造正确操作时需要吸气之微电子,微光电子,或微机械装置,该支撑包含一机械支持基部(11;21),一层(13)吸气材料在基部上,及一层用以暂时保护吸气材料,该层在制造装置之期间被移除。
申请公布号 TW583049 申请公布日期 2004.04.11
申请号 TW091115739 申请日期 2002.07.12
申请人 沙斯格特斯有限公司 发明人 马可 艾米欧堤
分类号 B23K31/02 主分类号 B23K31/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种具有吸气材料之整合沉积物之支撑件(10;20),其系用于制造微电子、微光电子、或微机械装置,该支撑件包含一基部(11;21)具有机械支持功能,吸气材料之一连续沈积物(13)或不连续沈积物(24,24',……)沉积在基部之一表面上,及一层(15;26)完全覆盖吸气材料沉积物(13,24,24',……),其系为可与微电子、微光电子、或微机械装置或其部件之制造相容之材料所制。2.如申请专利范围第1项所述之支撑件(10),其中,吸气材料之连续沉积物(13)在基部(11)之整个表面(12)上为连续的。3.如申请专利范围第1项所述之支撑件(20),其中,吸气材料之不连续沉积物(24,24',……)系以分离之沉积物的形式在基部(21)之表面(23)上。4.如申请专利范围第1项所述之支撑件,其中,基部(11;21)为选自金属,陶瓷,玻璃,或半导体中之一材料所制。5.如申请专利范围第4项所述之支撑件,其中,该材料为矽。6.如申请专利范围第1项所述之支撑件,其中,吸气材料为吸气剂材料。7.如申请专利范围第6项所述之支撑件,其中,吸气剂材料选自金属Zr,Ti,Nb,Ta,V,此等金属间之合金,或此等金属及选自Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Al,Y,La,及稀土金属之一或更多元素间之合金。8.如申请专利范围第7项所述之支撑件,其中,吸气剂材料为钛。9.如申请专利范围第7项所述之支撑件,其中,吸气剂材料为锆。10.如申请专利范围第7项所述之支撑件,其中,吸气剂材料为具有重量百分率成份Zr84%-Al16%之合金。11.如申请专利范围第7项所述之支撑件,其中,吸气剂材料为具有重量百分率成份Zr70%-V24.6%-Fe5.4%之合金。12.如申请专利范围第7项所述之支撑件,其中,吸气剂材料为具有重量百分率成份Zr80.8%-Co14.2%-TR5%之合金,其中,TR为稀土,钇,镧,或其混合物。13.如申请专利范围第1项所述之支撑件,其中,吸气材料为一乾燥剂材料。14.如申请专利范围第13项所述之支撑件,其中,乾燥剂材料选自硷金属或硷土金属之氧化物。15.如申请专利范围第14项所述之支撑件,其中,乾燥剂材料为氧化钙。16.如申请专利范围第1项所述之支撑件,其中,吸气材料之连续或不连续沉积物具有厚度在0.1至5m范围内。17.如申请专利范围第1项所述之支撑件,其中,可与微电子,微光电子,或微机械装置或其部件之制造相容之材料为半导体材料。18.如申请专利范围第17项所述之支撑件,其中,该材料为矽。19.如申请专利范围第1项所述之支撑件,其中,可与微电子,微光电子,或微机械装置或其部份之制造相容之材料层具有低于50m之厚度。20.如申请专利范围第19项所述之支撑件,其中,该厚度在1至20m之范围内。21.如申请专利范围第1项所述之支撑件,其中,该支撑用作生产微机械装置中之覆盖元件。图式简单说明:图1显示本发明之一第一可能之支撑件之透视,部份切开图;图2显示本发明之一第二可能之支撑件之透视,部份切开图;图3为图1之支撑件用于支撑微电子电路的片段图;图4为图3之方块切下之IC装置的剖面图;图5为用于MMs生产之支撑件片段的剖面图;图6为图5之支撑件被覆盖以覆盖元件的剖面图;图7为本发明之支撑件用于另一微机械的剖面图;图8为具有支撑通道的本发明支撑件片段的剖面图;图9为具有可动结构的支撑件片段的剖面图;图10为图9的支撑件被覆盖以覆盖元件的剖面图;及图11为由本发明所取得之微机械的剖面图。
地址 意大利