| 发明名称 |
SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>Un substrat à couche de SOI dans laquelle est formée une couche SOI (32) a une encoche (32a) de direction cristallographique <100> et une encoche (32b) de direction cristallographique <110>. On assemble ce substrat et un substrat support (1) en faisant coïncider l'encoche (32a) de direction <100> et une encoche (1a) de direction <110> du substrat support, tandis que l'autre encoche (32b) du substrat de SOI est accouplée à un élément de guidage de l'appareil de fabrication pour éviter une erreur de positionnement. Il est ainsi possible de fabriquer sur un substrat SOI un transistor MOS capable de fournir un courant plus élevé.</P> |
| 申请公布号 |
FR2845076(A1) |
申请公布日期 |
2004.04.02 |
| 申请号 |
FR20030009138 |
申请日期 |
2003.07.25 |
| 申请人 |
RENESAS TECHNOLOGY CORP |
发明人 |
IWAMATSU TOSHIAKI;MAEDA SHIGENOBU |
| 分类号 |
H01L27/12;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/68;H01L21/762;H01L23/544;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L27/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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