| 发明名称 | 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法 | ||
| 摘要 | 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a－Si)薄膜或a－SiN<SUB>x</SUB>∶H/a－Si∶H/a－SiN<SUB>x</SUB>∶H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a－Si薄膜或a－SiN<SUB>x</SUB>∶H/a－Si∶H/a－SiN<SUB>x</SUB>∶H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a－Si∶H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN1484278A | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
| 申请号 | CN03131685.9 | 申请日期 | 2003.06.06 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 陈坤基;黄信凡;闵乃本;骆桂蓬;王明湘;徐骏;李伟 |
| 分类号 | H01L21/00;B82B3/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 1、构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，其特征是超薄非晶硅(a-Si)薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a-Si薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a-Si:H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||