发明名称 Halbleiterspeichervorrichtung
摘要 Es wird eine Halbleiterspeichervorrichtung erhalten, die als ihren Hauptspeicherabschnitt einen Kondensator, der Ladungen als binäre Informationen speichert, und einen Zugriffstransistor, der den Zufluss/Abfluss von Ladungen zu/von dem Kondensator steuert, aufweist und das Erfordernis des Auffrischens beseitigt. Die Halbleiterspeichervorrichtung beinhaltet einen Kondensator (32) mit einem Speicherknoten (30), der über einem Halbleitersubstrat (1) angeordnet ist und einem logischen Pegel von gespeicherter binärer Information entsprechende Ladungen hält, einen Zugriffstransistor (T¶5¶, T¶6¶), der auf der Halbleitersubstratoberfläche angeordnet ist und den Zufluss/Abfluss von in dem Kondensator akkumulierten Ladungen steuert, und eine Verriegelungsschaltung, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist und ein Potential des Kondensator-Speicherknotens aufrechterhält. Zumindest eines der Schaltkreiselemente (T¶1¶, T¶2¶, T¶3¶, T¶4¶, R¶1¶, R¶2¶), die die Verriegelungsschaltung bilden, ist über dem Zugriffstransistor angeordnet.
申请公布号 DE10313881(A1) 申请公布日期 2004.03.04
申请号 DE20031013881 申请日期 2003.03.27
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 KOGA, TSUYOSHI;ISHIGAKI, YOSHIYUKI;ASHIDA, MOTOI;MAKI, YUKIO;FUJII, YASUHIRO;HOSOKAWA, TOMOHIRO;TERADA, TAKASHI;DEI, MAKOTO;MASUDA, YASUICHI
分类号 H01L27/108;G11C11/402;G11C11/412;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L27/11;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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