半导体存储器装置以及半导体集成电路

摘要

一种半导体存储装置，多个比特线(5)中非选择比特线的预充电电位，由HPR电压源(2)设定成比确定存储在存储器单元中的数据高电位侧的电位的电源电压(Vcc)(0.5V～1.2V范围内的低电压，例如0.8V)要低的电位(例如1/2Vcc＝0.4V)。多个字线(4)中非选择字线的电位，由NWL电压源设定成给定负电位(例如－1/4Vcc＝－0.2V)。上述非选择比特线的预充电电位(0.4V)非选择字线的负电位(－0.2V)的绝对值的合计值，设定成低于电源电压(Vcc)(0.8V)。从而在半导体存储装置中，在有效限制多个存储器单元的截止漏电流的同时、可以有效限制栅极漏电流以及GIDL漏电流。

主权项

1.一种半导体存储装置，包括：当被选择时依赖存储数据而产生单元电流的多个存储器单元；为了从所述多个存储器单元中访问特定的存储器单元的数据而选择的多个字线以及多个比特线；供给相当于所述多个存储器单元的数据的高电位侧的电压的电源；向所述多个字线施加电位的字线电位供给源；以及向所述多个比特线施加预充电电位的预充电电位供给源，其特征是由所述预充电电位供给源向所述多个比特线中的非选择比特线供给的预充电电位设定成比所述电源的电压要低的电位，由所述字线电位供给源向所述多个字线中非选择字线供给的电位设定成给定负电位，并且由所述预充电电位供给源供给的非选择比特线的预充电电位、和由所述字线电位供给源供给的非选择字线的电位之间的绝对值的合计值，设定成低于所述电压的电压值。