| 发明名称 | 应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺 | ||
| 摘要 | 一种应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺，其首先在一衬底上形成一第一光致抗蚀剂层，并且在第一光致抗蚀剂层上形成一抗反射层，在抗反射层上形成一第二光致抗蚀剂层。接着，对第二光致抗蚀剂层进行一第一曝光工艺之后，进行一第一显影工艺，以构图第二光致抗蚀剂层以及抗反射层。之后，以第二光致抗蚀剂层与抗反射层为掩模，进行一第二曝光工艺以及一第二显影工艺，以构图第一光致抗蚀剂层。 | ||
| 申请公布号 | CN1472599A | 申请公布日期 | 2004.02.04 |
| 申请号 | CN02156379.9 | 申请日期 | 2002.12.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林思闽;张尚文;刘家助;陈正中 |
| 分类号 | G03F7/16;G03F7/00 | 主分类号 | G03F7/16 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺，包括：在一衬底上形成一第一光致抗蚀剂层；在该第一光致抗蚀剂层上形成一非感光材料层；在该非感光材料层上形成一第二光致抗蚀剂层；对该第二光致抗蚀剂层进行一第一曝光工艺；进行一第一显影工艺，以构图该第二光致抗蚀剂层以及该非感光材料层；以及以该第二光致抗蚀剂层与该非感光材料层为掩模，进行一第二曝光工艺以及一第二显影工艺，以构图该第一光致抗蚀剂层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||