| 主权项 |
1.一种半导体单晶的制造装置,系利用一种将原料融液收容在制造装置结晶成长炉内部的坩埚,并且使籽晶接融于该原料融液表面后加以提拉,藉此于籽晶下方形成单晶的切克劳斯基法来制造单晶者,其特征在于:将加热器配置在该坩埚的周围以加热熔融前述坩埚所收容的原料,并且将用来对该加热器之发热部供应电力的电流路径设置在前述制造装置结晶成长炉内部,而且该加热器之发热部的电性电阻値为构成该电流路径之电流路径构件之电性电阻値的9倍以上。2.一种半导体单晶的制造装置,系利用一种将原料,融液收容在制造装置结晶成长炉内部的坩埚,并且使籽晶,接融于该原料融液表面后加以提拉,藉此于籽晶下方形成单晶的切克劳斯基法来制造单晶者,其特征在于:将加热器配置在该坩埚的周围以加热熔融前述坩埚所收容的原料,并且将用来对该加热器之发热部供应电力的电流路径设置在前述制造装置结晶成长炉内部,而且构成该电流路径之电流路径构件的电性电阻率比该加热器之发热部的电性电阻率还低。3.如申请专利范围第2项之半导体单晶的制造装置,其中,在1500℃的高温下,前述电流路径构件的电性电阻率为前述加热器之发热部的电性电阻率的1/10以下。4.如申请专利范围第1项之半导体单晶的制造装置,其中,使用石墨作为前述加热器的材料,构成前述电流路径构件之一部分或全部的材料之主要成分则使用融点比收容在坩埚之原料融液高,而且从钼、钨、钽及铌所构成之群中所选择之1种或2种以上所构成的金属或合金。5.如申请专利范围第2项之半导体单晶的制造装置,其中,使用石墨作为前述加热器的材料,构成前述电流路径构件之一部分或全部的材料之主要成分则使用融点比收容在坩埚之原料融液高,而且从钼、钨、钽及铌所构成之群中所选择之1种或2种以上所构成的金属或合金。6.如申请专利范围第3项之半导体单晶的制造装置,其中,使用石墨作为前述加热器的材料,构成前述电流路径构件之一部分或全部的材料之主要成分则使用融点比收容在坩埚之原料融液高,而且从钼、钨、钽及铌所构成之群中所选择之1种或2种以上所构成的金属或合金。7.如申请专利范围第1项之半导体单晶的制造装置,其中,使通过前述电流路径构件的电流之电流密度比前述加热器之发热部所通过的电流密度还小。8.如申请专利范围第2项之半导体单晶的制造装置,其中,使通过前述电流路径构件的电流之电流密度比前述加热器之发热部所通过的电流密度还小。9.如申请专利范围第3项之半导体单晶的制造装置,其中,使通过前述电流路径构件的电流之电流密度比前述加热器之发热部所通过的电流密度还小。10.如申请专利范围第4项之半导体单晶的制造装置,其中,使通过前述电流路径构件的电流之电流密度比前述加热器之发热部所通过的电流密度还小。11.一种半导体单晶的制造装置,系利用一种将原料融液收容在制造装置结晶成长炉内部的坩埚,并且使籽晶接融于该原料融液表面后加以提拉,藉此于籽晶下方形成单晶的切克劳斯基法来制造单晶者,其特征在于:将加热器配置在该坩埚的周围以加热熔融前述坩埚所收容的原料,并且将用来对该加热器之发热部供应电力的电流路径设置在前述制造装置结晶成长炉内部,而且使构成该电流路径之电流路径构件所通过的电流之电流密度比该加热器之发热部所通过的电流之电流密度还小。12.如申请专利范围第7项之半导体单晶的制造装置,其中,使通过前述电流路径构件的电流之电流密度成为前述加热器之发热部所通过的电流之电流密度的1/2以下。13.如申请专利范围第8项之半导体单晶的制造装置,其中,使通过前述电流路径构件的电流之电流密度成为前述加热器之发热部所通过的电流之电流密度的1/2以下。14.如申请专利范围第9项之半导体单晶的制造装置,其中,使通过前述电流路径构件的电流之电流密度成为前述加热器之发热部所通过的电流之电流密度的1/2以下。15.如申请专利范围第10项之半导体单晶的制造装置,其中,使通过前述电流路径构件的电流之电流密度成为前述加热器之发热部所通过的电流之电流密度的1/2以下。16.如申请专利范围第11项之半导体单晶的制造装置,其中,使通过前述电流路径构件的电流之电流密度成为前述加热器之发热部所通过的电流之电流密度的1/2以下。17.如申请专利范围第1项至第16项任一项之半导体单晶的制造装置,其中,将用来对该制造装置之结晶成长炉内部之坩埚所收容的前述融液进行加热熔融的加热器之电性电阻値设为10m以上。18.一种半导体单晶的制造方法,其特征在于:使用申请专利范围第1项至第16项任一项之半导体单晶的制造装置,并且利用切克劳斯基法从该制造装置之结晶成长炉内部之坩埚所收容的前述原料融液提拉半导体单晶而加以制造。19.一种半导体单晶的制造方法,其特征在于:使用申请专利范围第17项之半导体单晶的制造装置,并且利用切克劳斯基法从该制造装置之结晶成长炉内部之坩埚所收容的前述原料融液提拉半导体单晶而加以制造。图式简单说明:第1图系本发明半导体单晶制造装置之一实施形态的概略剖视图。第2图系本发明半导体单晶制造装置中加热器的概略说明图,(a)系俯视概略说明图、(b)系侧视概略说明图。 |
