氮化物半导体雷射元件及其制造方法

摘要

本发明系提供具备高输出型之共振器端面之氮化物半导体雷射元件，于n型氮化物半导体层与p型半导体层之间，具有共振器，其含有包含In之氮化物半导体所成之活性层之氮化物半导体雷射元件，于与前述雷射元件对向之共振器端面至少出射端面，形成不给予前述含有In之氮化物半导体所成之活性层损伤之低温形成之单晶A1xGa1–xN（0≦x≦1）所成之端面膜。