| 主权项 |
1.一种三波长白光LED之制造方法,系包含一蓝光LED晶粒及一可受此LED晶粒发光所能激发之包含红色、绿色混合萤光体,该红色、绿色混合萤光体系吸收上述蓝光LED晶粒所发出蓝光的一部分,激发出与原吸收光相异波长的红色及绿色波长光,再与原来蓝光LED晶粒所发出的蓝光混合,即可产生三波长白光LED,上述红色萤光体至少包含以下任一种的萤光物质:Li2TiO3:Mn;或LiAlO2:Mn;或6MgOAs2O5:Mn4+;或3.5MgO0.5MgF2GeO2:Mn4+;绿色萤光体至少包含以下任一种的萤光物质:Y3(GaxAl1-x)5O12:Ce(0<x<1);或La2O311Al2O3:Mn;或Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn。2.如申请专利范围第1项所述之三波长白光LED之制造方法,其中蓝光LED晶粒波长为420~475nm。3.如申请专利范围第1项所述之三波长白光LED之制造方法,其中调配不同的红色、绿色萤光体的比例,可调制成各种中间色系的LED,如粉红、淡蓝、浅绿、乳白等颜色。4.如申请专利范围第1项所述之三波长白光LED之制造方法,其中可在蓝光LED晶粒上添加单一色红色萤光体而调配成蓝、红混合光。5.如申请专利范围第1项所述之三波长白光LED之制造方法,其中可在蓝光LED晶粒上添加单一色绿色萤光体而调配成蓝、绿混合光。6.如申请专利范围第1项所述之三波长白光LED之制造方法,其中封装结构可为灯型(Lamp)LED或表面黏着型(SMD)LED。7.如申请专利范围第1项所述之三波长白光LED之制造方法,其中所述蓝光LED晶粒为InGaN型或SiC型或ZnSe型。图式简单说明:第一图为日本日亚化学公司以蓝光激发YAG黄色萤光粉之两波长白光LED发射光谱。第二图为白光灯型(Lamp)LED封装方法之结构图。第三图为白光表面黏着型(SMD)LED封装方法之结构图。第四图为本发明三波长白光LED之制造方法中La2O311Al2O3:Mn绿色萤光粉激发光谱与发射光谱图。第五图为本发明三波长白光LED之制造方法中Y3(GaxAl1-x)5O12:Ce(0<x<1)绿色萤光粉激发光谱图。第六图为本发明三波长白光LED之制造方法中Y3(GaxAl1-x)5O12:Ce(0<x<1)绿色萤光粉发射光谱图。第七图为本发明三波长白光LED之制造方法中Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn绿色萤光粉激发光谱图。第八图为本发明三波长白光LED之制造方法中Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn绿色萤光粉发射光谱图。第九图为本发明三波长白光LED之制造方法中Li2TiO3:Mn红色萤光粉激发光谱图。第十图为本发明三波长白光LED之制造方法中Li2TiO3:Mn红色萤光粉发射光谱图。第十一图为本发明三波长白光LED之制造方法中LiAlO2:Mn红色萤光粉激发光谱图。第十二图为本发明三波长白光LED之制造方法中LiAlO2:Mn红色萤光粉发射光谱图。第十三图为本发明三波长白光LED之制造方法中6MgOAs2O5:Mn4+红色萤光粉激发光谱与发射光谱图。第十四图为本发明三波长白光LED之制造方法中3.5MgO0.5MgF2GeO2:Mn4+红色萤光粉激发光谱与发射光谱图。第十五图为本发明三波长白光LED之制造方法实施例一之光谱图。第十六图为本发明三波长白光LED之制造方法另一实例光谱图。 |
