| 发明名称 | 相变材料电子存储器结构及其成形方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括一种电子存储器结构。该电子存储器结构包括衬底(410)。基本上平的第一导体(420)与该衬底(410)相邻地被形成。一个互连层(430)与该第一导体(420)相邻地被形成。相变材料元件(440)与该互连层(430)相邻地被形成。该互连层(430)包括从第一导体(420)向相变材料元件(440)延伸的导电的互连结构(432)。该互连结构(432)包括物理上与该第一导体(420)相连的第一表面。该互连结构(432)还包括与该相变材料元件(440)连附的第二表面。该第二表面的第二表面区域基本上小于该第一表面的第一表面区域。基本上平的第二导体(450)与相变材料元件(440)相邻地被形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1457058A | 申请公布日期 | 2003.11.19 |
| 申请号 | CN03120148.2 | 申请日期 | 2003.03.10 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | H·李;D·拉扎罗夫;N·梅耶尔;J·艾伦森;K·克拉默;K·乌尔默;D·普恩萨兰;P·弗里克;A·科尔;A·范布罗克林 |
| 分类号 | G11C13/00;H01L27/00 | 主分类号 | G11C13/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 崔幼平 |
| 主权项 | 1.一种电子存储器结构，该电子存储器结构包括：衬底(410)；与该衬底(410)相邻地形成的基本上平的第一导体(420)；与该第一导体(420)相邻地形成的互连层(430)；与该互连层(430)相邻地形成的相变材料元件(440)；该互连层(430)包括：从第一导体(420)向相变材料元件(440)延伸的导电的互连结构(432)，该互连结构(432)具有物理上与该第一导体(420)相连的第一表面，该互连结构(432)具有与该相变材料元件(440)连附的第二表面，该第二表面的第二表面区域基本上小于该第一表面的第一表面区域；以及与相变材料元件(440)相邻地形成的基本上平的第二导体(450)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||