发明名称 TANTALUM-SILICON AND NIOBIUM-SILICON SUBSTRATES FOR CAPACITOR ANODES
摘要 The allows: Ta-Si, Nb-Si, TaN-Si, NbN-Si and variants are used as enhanced powder anode substrates for electrolytic capacitor anodes (sintered powder masses) with dielectric oxide formation at walls of the internal pores.
申请公布号 KR20030086593(A) 申请公布日期 2003.11.10
申请号 KR20037010542 申请日期 2003.08.11
申请人 发明人
分类号 C22C1/04;C25B11/04;C22C1/05;C22C27/02;C25B;H01G9/042;H01G9/052 主分类号 C22C1/04
代理机构 代理人
主权项
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