Nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung,申请号DE20011094678T-传众专利搜索

发明名称	Nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
摘要
申请公布号	DE10194678(T1)	申请公布日期	2003.10.16
申请号	DE20011094678T	申请日期	2001.10.25
申请人	SONY CORP., TOKIO/TOKYO	发明人	NOMOTO, KAZUMASA;AOZASA, HIROSHI;FUJIWARA, ICHIRO;TANAKA, SHINJI
分类号	H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/318;H01L21/762;H01L27/115;H01L27/12;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/792;H01L21/824	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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