| 发明名称 |
PRODUCTION METHOD FOR A CONTACT IN A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND CORRESPONDING CONTACT |
| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für einen Kontakt in einer Halbleiterstruktur, die ein Substrat (1) mit einem ersten und zweiten auf der Substratoberfläche vorgesehenen, ungefähr gleich hohen Strukturelement (GS1, GS2) aufweist, welche durch einen Zwischenraum mit einer kritischen lateralen Dimension voneinander beabstandet sind, mit den Schritten: Vorsehen eines aktiven Gebietes (60) im Substrat (1) zwischen den Strukturelementen (GS1, GS2); Erhöhen des aktiven Gebietes (60) durch selektives Aufwachsen von leitfähigem Substratmaterial (80); und Bilden des Kontakts (CB) auf dem erhöhten aktiven Gebiet. Die Erfindung schafft auch einen entsprechenden Kontakt.
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| 申请公布号 |
WO03081666(A1) |
申请公布日期 |
2003.10.02 |
| 申请号 |
WO2003EP01139 |
申请日期 |
2003.02.05 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;LUETZEN, JOERN;POPP, MARTIN;SCHLOESSER, TILL |
发明人 |
LUETZEN, JOERN;POPP, MARTIN;SCHLOESSER, TILL |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/60;H01L21/768;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/824;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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