| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1445856A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
| 申请号 | CN03107255.0 | 申请日期 | 2003.03.19 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 齐藤丈靖;上野清治 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/822 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的第一绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的第一绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||