半导体晶片封装及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体晶片之封装及其制造方法;有一凹部形成于半导体晶片上;复数接合用焊接点形成于凹部底而复数绝缘焊接点30则形成于凹部两侧;各焊接点以金属导线互相连接;凹部中充填以一种环氧基之化合物;于此金属导线中间部位系曝露于环氧基之化合物之外;有隆起物形成于曝露于环氧基之化合物外之金属导线的中间部位而在隆起物上则有软焊球;因此，环氧基之化合物未从半导体晶片突出，封装的厚度相等于半导体晶片的厚度;故封装厚度得以减小。选择图：(第10图)

主权项

1.一种晶片封装,包括:复数半导体晶片,其中有复数凹部形成半导体晶片的表面,而且有接合用焊接点配置于各凹部之底部;金属导线,该等金属导线的一端连接于接合用焊接点;一种环氧基化合物充填于各凹部之内部以曝露金属导线之一部位,其中环氧基化合物之一表面与该等半导体晶片之表面位于同一平面内;各隆起物形成于曝露于环氧基化合物外之金属导线上;及复数的软焊球安装于该等隆起物上。2.如申请专利范围第1项之晶片封装,其中所述封装之特征为有绝缘焊接点附装于各凹部之底部,金属导线的另端连接于绝缘焊接点而金属导线的中间部位曝露于环氧基化合物之外。3.如申请专利范围第2项之晶片封装,其中所述绝缘焊接点包括:粘着层各附着于各凹部底部且其内包含有槽沟;及经电镀之金属层位于槽沟内而连接于金属导线。4.如申请专利范围第3项之晶片封装,其中有金属薄膜涂布于该等金属层之表面。5.如申请专利范围第4项之晶片封装,其中所述粘着层系由一种聚合物为基础的聚亚胺制成。6.如申请专利范围第4项之晶片封装,其中所述金属层系由选自下列一群Al,Cu,Ni,Au,Ag,Cr,Co及Sn等金属中之一制成,或由含有各种材质之合金制成。7.如申请专利范围第4项之晶片封装,其中所述金属薄膜系由下列金属Au,Ag或Cr中之一制成。8.一种晶片封装,包括:复数半导体晶片,其中有复数接合用焊接点与复数绝缘焊接点配置于其上;金属导线用以连接该等接合用焊接点与该等绝缘焊接点;装置于半导体晶片上之帽子,有退缩槽形成于该等帽内用以退缩金属导线之中间部位;复数隆起物形成于经帽子之退缩槽曝露之金属导线上;及复数之软焊球安装于各隆起物上。9.一种晶片封装之制造方法,其包括之步骤有:形成复数凹部于一原始晶元表面上;以形成积体电路于各凹部之底部方式构成复数半导体晶片;形成接合用焊接点与绝缘焊接点于个别凹部之底部上;以金属导线电气上连接接合用焊接点与绝缘焊接点,金属导线之中间部位系高于该晶元之表面;各凹部之内部充填以一种环氧基化合物因而使金属导线之中间部位曝露于环氧基化合物外;形成复数隆起物于已曝露于环氧基化合物外之金属导体之中间部位上;锯削晶元以分离成个别的半导体晶片;及安装软焊球于各隆起物上。10.一种晶片封装之制造方法,其包括之步骤有:以形成积体电路于一原始晶元表面并淀积一钝化层于晶元上来构成复数半导体晶片;形成复数凹部于钝化层内;形成接合用焊接点与绝缘焊接点于各凹部的底部上;以金属导线电气上连接接合用焊接点与绝缘焊接点,而且突出金属导线之中间部位使其高于该晶元之表面;以一种环氧基化合物充填各凹部之内部;形成隆起物于已曝露于环氧基化合物外之金属导线之中间部位上;锯削晶元以分离成个别的半导体晶片;及安装软焊球于隆起物上。11.一种晶片封装之制造方法,其包括之步骤有:以形成积体电路于一原始晶元表面并淀积一钝化层于晶元上来构成复数半导体晶片;形成复数凹部于钝化层内;形成接合用焊接点与绝缘焊接点于各凹部的底部上;以金属导线电气上连接接合用焊接点与绝缘焊接点;以一种环氧基化合物充填各凹部之内部;形成复数休用焊接点于晶元上;以金属导线电气上连接该等休用焊接点;磨光环氧基化合物表面使其与该晶元表面在同一平面内藉此除去休用焊接点而同时曝露金属导线于环氧基化合物之外;形成隆起物于已曝露于环氧基化合物外之金属导线上;锯削晶元以分离成个别的半导体晶片;及安装软焊球于隆起物上。12.一种晶片封装之制造方法,其包括之步骤有:形成复数凹部于一原始晶元之表面;以形成积体电路于各凹部之底部上来构成复数之半导体晶片;形成接合用焊接点于个别凹部之底部上;形成复数休用焊接点于该晶元之表面上;以金属导线电气上连接该等接合用焊接点与该等休用焊接点;以一种环氧基化合物充填各凹部之内部;磨光环氧基化合物表面使其与该晶元表面在同一平面内藉此除去休用焊接点而同时曝露金属导线于环氧基化合物之外;形成隆起物于已曝露于环氧基化合物外之金属导线上;锯削晶元以分离成个别的半导体晶片;及安装软焊球于隆起物上。13.一种晶片封装之制造方法,其包括之步骤有:形成复数凹部于一原始晶元之表面;以形成积体电路于各凹部之底部上来构成复数之半导体晶片;形成接合用焊接点于个别凹部之底部上;以金属导线电气上连接在一凹部内之接合用焊接点与邻近于该凹部之另一凹部内之接合用焊接点;以一种环氧基化合物充填各凹部之内部;磨光环氧基化合物表面使其与该晶元表面在同一平面内而同时曝露金属导线之中间部位于环氧基化合物之外形成隆起物于已曝露于环氧基化合物外之金属导线上;锯削晶元以分离成个别的半导体晶片;及安装软焊球于隆起物上。14.一种晶片封装之制造方法,其包括之步骤有:以形成积体电路于一原始晶元表面并淀积一钝化层于晶元上来构成复数半导体晶片;形成复数凹部于钝化层内;形成接合用焊接点于该等凹部的底部上;以金属导线电气上连接在一凹部内之接合用焊接点与邻近于该凹部之另一凹部内之接合用焊接点;以一种环氧基化合物充填各凹部之内部;磨光环氧基化合物表面使其与该晶元表面在同一平面内而同时曝露金属导线之中间部位于环氧基化合物之外;形成隆起物于已曝露于环氧基化合物外之金属导线上;及安装软焊球隆起物上。图式简单说明:第一图系为统晶片封装的断面图;第二图至第十图为依照本发明第一实施例之晶片封装制造过程之说明图;第十一图至第十二图为依照本发明第二实施例之晶片封装造过程之说明图;第十三图至第十四图为依照本发明第三实施例之晶片封装造过程之说明图;第十五图至第十九图为依照本发明第四实施例之晶片封装造过程之说明图。