| 主权项 |
1.一种具温度量测单元之覆晶封装构造,包括一晶片,具有一主动表面,以及复数个凸块位于该主动表面上;一基板,界定一区域,用以配置该晶片,并具有复数个焊垫位于该区域中与该凸块相对应且电性连接;以及至少一个热电偶,其具有一热接点,该热电偶配置于该晶片之该复数个凸块中之一者与该基板之间。2.依申请专利范围第1项之具温度量测单元之覆晶封装构造,其中该热电偶之该热接点之直径系约为1密尔(mil)。3.依申请专利范围第1项之具温度量测单元之覆晶封装构造,其中该基板之该复数个焊垫中之至少一者另具有一贯穿孔,且该热电偶具有两导线穿过该贯穿孔。4.依申请专利范围第3项之具温度量测单元之覆晶封装构造,其中该贯穿孔之直径系约为100微米(um)。5.依申请专利范围第1项之具温度量测单元之覆晶封装构造,另包括一充填胶(Underfill Encapsulant)填充于该晶片与该基板之间。6.一种量测覆晶封装构造温度之方法,其包括下列步骤:提供一晶片,其具有一主动表面,以及复数个凸块位于该主动表面上;提供一基板,其界定一区域,用以配置该晶片,并具有复数个焊垫位于该区域中并与该凸块相对应;于该基板之复数个焊垫中之一者上形成一贯穿孔;提供一热电偶,其具有一热接点及两导线:将该两导线穿过该贯穿孔,并将该热接点设置于该贯穿孔上;以及将该晶片之该凸块电气连接至该基板,并使该凸块中之一者与该热接点连接。7.依申请专利范围第6项之量测覆晶封装构造温度之方法,其中该热电偶之该热接点之直径系约为1密尔(mil)。8.依申请专利范围第6项之量测覆晶封装构造温度之方法,其中该贯穿孔之直径系约为100微米(um)。9.依申请专利范围第6项之量测覆晶封装构造温度之方法,另包括下列步骤:一充填胶填入该晶片与该基板之间。图式简单说明:第1图:为先前技术之一覆晶封装构造之剖面示意图。第2图:为根据本发明之较佳实施例之一覆晶封装构造之剖面示意图。第3图:为第2图所示之该基板之上平面示意图。第4图:为第3图中区域4之部分放大视图。 |
