| 摘要 |
<p>Zur Herstellung eines integrierten Halbleiterprodukts mit integrierten Metall-Isolator-Metall-Kondensators wird zu-nachst auf eine erste Elektrode (2) eine dielektrische Schutzschicht (5) and eine dielektrische Hilfsschicht (16) abgeschieden. Die Schutzschicht and die Hilfsschicht (16) werden dann uber der ersten Elektrode geoffnet (17). An-schliegend wird eine dielektrische Schicht (6) erzeugt, auf die dann der Metallbahnstapel (7, 8, 9) fur die zweite Elek-trode aufgebracht wird. Danach erfolgt die Strukturierung des Metall-Isolator-Metall-Kondensators mit bekannten Atzverfah-ren. Dadurch werden dielektrische Kondensatorschichten mit frei wahlbaren Materialien in beliebiger Dicke ermoglicht. Insbesondere besitzt die vorliegende Erfindung den Vorteil, dag Via-Atzungen deutlich einfacher als nach dem Stand der Technik durchgefuhrt werden konnen, da kein Durchatzen der restlichen, dielektrischen Kondensatorschicht uber den Me-tallbahnen notwendig ist.</p> |
