发明名称 METHOD FOR FORMING TRENCH MOSFET DEVICE WITH LOW PARASITIC RESISTANCE
摘要
申请公布号 AU2002357746(A1) 申请公布日期 2003.06.10
申请号 AU20020357746 申请日期 2002.11.20
申请人 GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 FWU-IUAN HSHIEH;KOON, CHONG SO;JOHN, E. AMATO;BRIAN, D. PRATT
分类号 H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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