| 发明名称 | 异质结BICOMS集成电路的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种异质结BiCMOS IC(100)的制造方法，包括形成栅电极(121，131)，在栅电极上形成保护层(901，902)，在保护层上形成半导体层(1101)，在半导体层上淀积电绝缘层(1102，1103)，使用掩膜层(1104)限定半导体层中的掺杂区(225)并限定电绝缘层中的孔(1201)，在电绝缘层上形成导电层(1301)，使用另一掩膜层(1302)限定导电层中的发射极区(240)，并限定出本征基极区(231)和部分非本征基极区(1502)，以限定导电层中非本征基极区的另一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1422439A | 申请公布日期 | 2003.06.04 |
| 申请号 | CN01807539.8 | 申请日期 | 2001.03.28 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 杰伊·P·约翰;詹姆斯·A·科盖斯诺;林益相;迈克尔·H·肯施罗;维达·依尔德瑞海·伯格;菲利浦·W·德尔;戴维·L·斯托菲;理查德·W·马恩特尔;约翰·W·斯蒂尔 |
| 分类号 | H01L21/8249;H01L27/06 | 主分类号 | H01L21/8249 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种集成电路的制造方法，包括：在半导体衬底上形成保护层(901，902)，保护层具有露出部分半导体衬底的孔；在部分半导体衬底和保护层上形成半导体层(1101)；在半导体层上形成电绝缘层(1102，1103)，电绝缘层有孔；在部分半导体衬底中形成掺杂区(225)，形成双极晶体管的部分集电极区；在半导体层和电绝缘层中的孔上形成导电层(1301)；在导电层中限定发射极区；以及在半导体层中自对准非本征基极区的第二部分。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||