发明名称 Verfahren zur Herstellung von Schichtdielektrika
摘要 Ein Schichtkörper, der aus dielektrischen Oxidschichten und aus als Hauptbestandteil ein unedles Metall wie Cu enthaltenden Innenelektrodenschichten besteht, wird in einer reduzierenden Atmosphäre gesintert, indem ein Mischgas verwendet wird, dessen Hauptbestandteil ein CO¶2¶-Gas ist und das eine optionale Menge CO-Gas und O¶2¶-Gas enthält. Indem von dem Gleichgewichtssystem CO¶2¶ Û 2CO + (1/2)O¶2¶ Verwendung gemacht wird und die Mengen an CO-Gas und O¶2¶-Gas eingestellt werden, kann der Sauerstoffpartialdruck in dem Atmosphärengas leicht und stabil eingestellt werden, sodass Schwankungen und Änderungen der Atmosphäre unterdrückt werden. Mit diesem Herstellungsverfahren lässt sich ein großes Schichtdielektrikum hoher Qualität herstellen, wobei die Atmosphäre während des Sintervorgangs leicht eingestellt werden kann und Probleme wie eine Ausdehnung aufgrund einer Reaktion mit dem Atmosphärengas behoben werden können.
申请公布号 DE10235253(A1) 申请公布日期 2003.04.30
申请号 DE2002135253 申请日期 2002.08.01
申请人 NIPPON SOKEN, INC.;DENSO CORP., KARIYA 发明人 SUMIYA, ATSUHIRO;YASUDA, ETURO;SHINDO, HITOSHI;SUZUKI, YASUNORI;YAMAMOTO, TAKASHI;NAGAYA, TOSHIATSU;KIHARA, NORIAKI
分类号 H01L41/22;C04B35/493;C04B35/638;H01L41/083;H01L41/187;H01L41/43 主分类号 H01L41/22
代理机构 代理人
主权项
地址