发明名称 |
制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 |
摘要 |
蚀刻第一III族氮化物半导体层31,由此形成点状、条纹状或栅格状等岛状结构,以便提供沟槽/柱子。这样,第二III族氮化物层32可以从用作外延生长晶核的柱子的顶面及沟槽的侧壁/多个侧壁纵向和横向地外延生长,进而掩埋沟槽,并且使该层沿纵向生长。这种情况下,可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展。结果,在掩埋的沟槽处形成几乎没有贯穿位错的区域。 |
申请公布号 |
CN1413357A |
申请公布日期 |
2003.04.23 |
申请号 |
CN00817712.0 |
申请日期 |
2000.12.21 |
申请人 |
丰田合成株式会社 |
发明人 |
小池正好;手钱雄太;平松敏夫 |
分类号 |
H01L21/205;H01S5/343;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
巫肖南;封新琴 |
主权项 |
1.一种通过外延生长制备III族氮化物半导体的方法,该方法包括如下步骤:蚀刻底层,该底层包含至少一层III族氮化物半导体,第一III族氮化物半导体作为最上层,以形成具有点状、条纹状或栅格状等岛状结构的沟槽/柱子;及沿纵向和横向外延生长第二III族氮化物半导体,以柱子的顶面和沟槽的侧壁/多个侧壁作为外延生长的晶核,该柱子和沟槽是通过蚀刻所述第一III族氮化物半导体形成的,进而形成点状、条纹状或栅格状等岛状结构。 |
地址 |
日本爱知县 |