| 主权项 |
1.一种用以形成金属与p型Ⅲ族-氮层间之欧姆接触之方法,包含下列步骤:将包含一p型Ⅲ族-氮层之一基板浸入一硫化铵溶液中,以去除该p型Ⅲ族-氮层之氧化层;清洗该基板并使其乾燥;于该p型Ⅲ族-氮层表面蒸镀一金属层;以及对该基板进行一热处理。2.如申请专利范围第1项之用以形成金属与p型Ⅲ族-氮层间之欧姆接触之方法,其中,该金属层系由下列族群中选出:镍/金、铂/金、铂、钯、钯/镍、铌/金、镍/铟锡氧化膜及镍/金/铟锡氧化膜。3.如申请专利范围第1项之用以形成金属与p型Ⅲ族-氮层间之欧姆接触之方法,其中,该热处理之温度范围为200℃至800℃。4.一种Ⅲ族-氮半导体装置之制造方法,包含下列步骤:形成一具有p型Ⅲ族-氮层于一基板上;将该基板浸入一硫化铵溶液中,以去除该p型Ⅲ族-氮层表面之氧化层;清洗该基板并使其乾燥;于该p型Ⅲ族-氮层表面蒸镀一金属层;以及对该基板进行一热处理。5.如申请专利范围第4项之Ⅲ族-氮半导体装置之制造方法,其中,该金属层系由下列族群中选出:镍/金、铂/金、铂、钯、钯/镍、铌/金、镍/铟锡氧化膜及镍/金/铟锡氧化膜。6.如申请专利范围第4项之Ⅲ族-氮半导体装置之制造方法,其中,该热处理之温度范围为200℃至800℃。7.一种用以形成金属与p型Ⅲ族-氮层间之欧姆接触之方法,包含下列步骤:将包含一p型Ⅲ族-氮层之一基板于一含氧环境中进行一第一热处理;将该基板浸入一硫化铵溶液中,以去除该p型Ⅲ族-氮层表面之氧化层;清洗该基板并使其乾燥;于该p型Ⅲ族-氮层表面蒸镀一金属层;以及对该基板进行一第二热处理。8.如申请专利范围第7项之用以形成金属与p型Ⅲ族-氮层间之欧姆接触之方法,其中,该金属层系由下列族群中选出:镍/金、铂/金、铂、钯、钯/镍、铌/金、镍/铟锡氧化膜及镍/金/铟锡氧化膜。9.如申请专利范围第7项之用以形成金属与p型Ⅲ族-氮层间之欧姆接触之方法,其中,该第一热处理之温度范围为300℃至1000℃。10.如申请专利范围第7项之用以形成金属与p型Ⅲ族-氮层间之欧姆接触之方法,其中,该第二热处理之温度范围为200℃至800℃。11.一种Ⅲ族-氮半导体装置之制造方法,包含下列步骤:形成一具有p型Ⅲ族-氮层于一基板上;将该基板于一含氧环境中进行一第一热处理;将该基板浸入一硫化铵溶液中,以去除该p型Ⅲ族-氮层表面之氧化层;清洗该基板并使其乾燥;于该p型Ⅲ族-氮层表面蒸镀一金属层;以及对该基板进行一第二热处理。12.如申请专利范围第11项之Ⅲ族-氮半导体装置之制造方法,其中,该金属层系由下列族群中选出:镍/金、铂/金、铂、钯、钯/镍、铌/金、镍/铟锡氧化膜及镍/金/铟锡氧化膜。13.如申请专利范围第11项之Ⅲ族-氮半导体装置之制造方法,其中,该第一热处理之温度范围为300℃至1000℃。14.如申请专利范围第11项之Ⅲ族-氮半导体装置之制造方法,其中,该第二热处理之温度范围为200℃至800℃。图式简单说明:图1为刚蒸镀镍/金后之A组及B组氮化镓试片之电特性图;图2为经过热合金化处理后之A组及B组氮化镓试片之电特性图;图3为经过热合金化处理后之A组及B组氮化镓试片之电阻与电极间距之关系图;图4为尚未蒸镀金属之A组及B组氮化镓试片表面之镓/氮原子浓度比关系图;图5为刚蒸镀镍/金后之A组及C组氮化镓试片之电特性图;图6为经过热合金化处理后之A组及C组氮化镓试片之电特性图;图7为经过热合金化处理后之A组及C组氮化镓试片之电阻与电极间距之关系图;以及图8为尚未蒸镀金属之A组及C组氮化镓试片表面之镓/氮原子浓度比关系图。 |
