发明名称 |
互补式金属半导体影像传感器的结构及其制造方法 |
摘要 |
一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法,此方法是在基底中形成隔离层,以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。接着,在晶体管元件区形成栅极结构之后,再于栅极结构两侧的晶体管元件区中形成源/漏极区,且同时于光二极管感测区中形成掺杂区。然后,在光二极管感测区上形成自对准绝缘层,再于基底上形成保护层。 |
申请公布号 |
CN1399346A |
申请公布日期 |
2003.02.26 |
申请号 |
CN02140315.5 |
申请日期 |
2002.06.25 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
陈重尧;林震宝;刘凤铭 |
分类号 |
H01L27/14;H01L31/00;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L27/14 |
代理机构 |
北京集佳专利商标事务所 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种互补式金氧半导体影像传感器的结构,其特征是,该传感器至少包括:一基底;一光二极管感测区,设置于该基底中;一晶体管元件区,设置于该基底中,且该光二极管感测区与该晶体管元件区以一隔离层区隔;一晶体管,设置于该晶体管元件区上,该晶体管包括一栅极氧化层、一栅极导体层、一间隙壁与一源/漏极区;一自对准绝缘层,设置于该光二极管感测区上;以及一保护层,设置于该基底上,且至少覆盖该光二极管感测区以及该晶体管元件区。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 |