| 发明名称 | 多包层光纤预制棒及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光纤制造领域中一种多包层光纤预制棒及制造方法，它包括芯棒和外包层，芯棒由芯层、内包层、低羟基高纯包层依次组成，外包层分为高纯度外包层和次高纯度外包层，它解决了现有的光纤制造技术中，光纤预制棒的外包层所使用的高纯原材料比重过大，从而导致高纯原材料利用率低、制造成本高的问题。本发明的制造方法依次包括以下步骤：(1)芯棒的制备；(2)在芯棒的外表面，用含量为99.99％－99.999％高纯度的SiCl<SUB>4</SUB>为原料，采用管外沉积工艺制造高纯度外包层而制成预制棒；(3)在预制棒的外表面，用含量为99％－99.99％的SiCl<SUB>4</SUB>为原料，采用管外沉积工艺制造次高纯度外包层而制成多包层光纤预制棒。本发明不仅降低了原材料成本，还可以改善光纤的性能以及提高光纤芯棒设备的制造效率与能力。 | ||
| 申请公布号 | CN1398804A | 申请公布日期 | 2003.02.26 |
| 申请号 | CN02138975.6 | 申请日期 | 2002.08.28 |
| 申请人 | 长飞光纤光缆有限公司 | 发明人 | 何珍宝;童维军 |
| 分类号 | C03B37/012;C03B37/014;C03B20/00;G02B6/00 | 主分类号 | C03B37/012 |
| 代理机构 | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人 | 王和平 |
| 主权项 | 1、一种多包层光纤预制棒，它包括芯棒和外包层，芯棒由芯层、内包层、低羟基高纯包层依次组成，外包层分为高纯度外包层和次高纯度外包层，各层的尺寸如下：内包层外直径B与芯层外直径A之比为1.0-4.0；低羟基高纯包层外直径C与芯层外直径A之比为2.0-5.0；高纯度外包层外直径D与芯层外直径A之比为5.0-13.0；次高纯度外包层外直径E与芯层外直径A之比为13.5-15.2； | ||
| 地址 | 430073湖北省武汉市关山二路4号 | ||