发明名称 | 利用激光束切割非金属基片的方法及装置 | ||
摘要 | 公开了一种用于通过激光切割非金属基片的方法和装置。在该方法和装置中,用于断开非金属基片的分子键的第一激光束在形成于非金属基片上的切割路径上扫描以形成具有理想深度的裂纹的划线。然后,第二激光束沿着第一激光束的扫描路径扫描,以在基片的深度方向扩展裂纹,并完全分开非金属基片。由于切割速度可以由第一激光束的速度控制,与利用由加热操作和冷却操作造成的温度差的传统切割方法相比,切割速度可以提高,并且切割速度可以容易地加以控制。 | ||
申请公布号 | CN1386606A | 申请公布日期 | 2002.12.25 |
申请号 | CN01125569.2 | 申请日期 | 2001.08.15 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 秋大镐;全栢均;南亨佑 |
分类号 | B23K26/00;B26F3/06;C03B33/08;H05K13/00 | 主分类号 | B23K26/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马高平 |
主权项 | 1.一种切割非金属基片的方法,包括以下步骤:在形成在非金属基片上的切割路径上扫描用于断开非金属基片材料的分子键的第一激光束,以形成具有理想深度的裂纹的划线;以及沿第一激光束的扫描路径扫描第二激光束,以在基片的深度方向扩展裂纹,并完全分开非金属基片。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |