功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

摘要

一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,此方法是在磊晶层上形成栅极介电层、多晶硅栅极层与顶盖层之后,在磊晶层中形成井区与源极区,其后将氮气阳离子植入于磊晶层的表面,使磊晶层的氧化速率减缓,接着,再进行热氧化制造工艺,以使多晶硅栅极层的侧壁氧化而形成氧化间隙壁。最后,在基底上形成介电层,并进行自动对准接触窗开口制造工艺,以在介电层中形成裸露出源极的接触窗开口,然后,再于接触窗开口与介电层的表面上形成金属层,以电性连接源极区。

主权项

1、一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于包括：提供一基底，该基底上具有一磊晶层；于该基底的磊晶层上形成一栅极介电层；于该栅极介电层上形成已图案化的一栅极导体层与一顶盖层；在未被该栅极顶盖层所覆盖的该磊晶层中形成一井区；在该井区中形成一源极区；进行一离子植入步骤，以将一物种植入于该磊晶层的表面，使该磊晶层的氧化速率减缓；进行一热氧化制造工艺，以使该栅极导体层的侧壁氧化而形成一氧化间隙壁；于该基底上形成一介电层；进行一自动对准接触窗开口制造工艺，以在该介电层中形成裸露出该源极的一接触窗开口；以及于该接触窗开口与该介电层的表面形成一金属层，电性连接该源极区。