| 摘要 |
<p>본 발명은 감광막 대비 유기 반사방지막의 선택비를 개선하도록 한 반도체 소자의 식각 선택비 개선 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 반도체 기판 상부에 피식각층, 유기 반사방지막을 차례로 형성하는 제 1 단계, 상기 유기 반사방지막 상부에 감광막을 도포하고 노광 및 현상으로 패터닝하는 제 2 단계, 상기 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 질소, 산소 및 할로겐계 가스가 혼합된 혼합가스의 플라즈마로 상기 유기 반사방지막을 식각하는 제 3 단계, 상기 패터닝된 감광막 및 유기 반사방지막을 마스크로 이용하고 상기 혼합 가스의 플라즈마로 상기 피식각층을 식각하는 제 4 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
