| 主权项 |
1.一种接触晶圆之方法,包括: 提供具阳极面之阳极, 利用阳极面外侧之电接触制造电接触至晶圆前侧, 系藉由将该电接触推倚晶圆为之,以及 随着阳极与电接触移动该晶圆。2.如申请专利范 围第1项之方法,其中将阳极与电接触之极性颠倒 。3.如申请专利范围第1项之方法,其中至少该电接 触中的有一些可横向滑离晶圆前侧,同时随着阳极 与电接触移动该晶圆。4.如申请专利范围第1项之 方法,其中随着阳极与电接触移动该晶圆之施行, 系藉由移动可握住晶圆之载体头为之。5.如申请 专利范围第1项之方法,其中随着阳极与电接触移 动该晶圆之施行,系藉由移动阳极与电接触为之。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中随着阳极与电 接触移动该晶圆之施行,系藉由移动可握住晶圆之 载体头,以及移动阳极与电接触为之。7.如申请专 利范围第1项之方法,其中将该电接触推向该晶圆 之晶圆前侧,俾制造该电接触。8.如申请专利范围 第1项之方法,其中该电接触可包含梢、滚体、接 线及刷之任一者。9.如申请专利范围第1项之方法, 其中将该电接触推倚晶圆之施行,系藉由将晶圆移 向接触为之。10.如申请专利范围第1项之方法,其 中将该电接触推倚晶圆之施行,系藉由将接触移向 晶圆为之。11.一种于半导体晶圆之晶圆前侧沉积 或移除导电性材料之方法,包含: 提供具阳极面之阳极,面向晶圆前侧,电连结晶圆 前侧与至少一阳极面外侧之电接触,系藉由将该电 接触与晶圆前侧互相推近, 在阳极与电接触间施加电位,以及 随着阳极与电接触移动该晶圆。12.如申请专利范 围第11项之方法,其中该电位具第一极性,可造成在 该晶圆前侧之导电性材料沉积,且更包括后续施加 之具相反极性之第二电位,可将导电性材料移除。 13.如申请专利范围第11项之方法,其中该电位具第 一极性,可将导电性材料自该晶圆前侧移除,且更 包括后续施加之具相反极性之第二电位,可沉积导 电性材料。14.如申请专利范围第11项之方法,其中 至少一该电接触可横向滑离晶圆前侧,同时随着阳 极与电接触移动该晶圆。15.如申请专利范围第11 项之方法,其中随着阳极与电接触移动该晶圆之施 行,系藉由移动可握住晶圆之载体头为之。16.如申 请专利范围第11项之方法,其中随着阳极与电接触 移动该晶圆之施行,系藉由移动阳极与电接触为之 。17.如申请专利范围第11项之方法,其中随着阳极 与电接触移动该晶圆之施行,系藉由移动可握住晶 圆之载体头,以及移动阳极与电接触为之。18.如申 请专利范围第11项之方法,其中将至少一该电接触 推倚该晶圆之晶圆前侧,同时电连结该晶圆前侧与 该至少一电接触。19.如申请专利范围第11项之方 法,其中该电接触可为梢、弹簧压滚体、接线,与 刷之任一者。20.如申请专利范围第11项之方法,其 中将该电接触推至与晶圆前侧相邻之施行,系藉由 将晶圆移向接触为之。21.如申请专利范围第11项 之方法,其中将该电接触推至与晶圆前侧相邻之施 行,系藉由将接触移向晶圆为之。22.如申请专利范 围第11项之方法,更包括抛光导电性材料,同时施加 该电位并随着阳极与电接触移动该晶圆。23.一种 于半导体晶圆之晶圆前侧沉积或移除半导体材料 之装置,包含: 具阳极面之阳极,面向晶圆前侧,电连结晶圆前侧 与位于阳极面外侧之电接触,系藉由将该电接触推 至与晶圆前侧相邻, 在阳极与电接触间施加电位时,随着阳极与电接触 可移动该晶圆前侧,俾沉积或移除该导电性材料。 24.如申请专利范围第23项之装置,其中至少该电接 触中的一些可横向滑离晶圆前侧,同时随着阳极与 电接触移动该晶圆。25.如申请专利范围第23项之 装置,其中该电接触包括环绕于阳极之梢。26.如申 请专利范围第23项之装置,其中该电接触包括环绕 于阳极之接线。27.如申请专利范围第23项之装置, 其中该电接触包括环绕于阳极之导电刷。28.如申 请专利范围第27项之装置,更包括一接触环,可藉以 支撑该导电刷,俾环绕于阳极。29.如申请专利范围 第23项之装置,更包括横置于该阳极上之多孔垫,俾 将该导电性材料抛光。30.如申请专利范围第23项 之装置,其中该阳极面为圆形。31.如申请专利范围 第23项之装置,其中该阳极面为非圆形。32.如申请 专利范围第23项之装置,其中移动该晶圆,俾随着阳 极与电接触移动该晶圆前侧。33.如申请专利范围 第23项之装置,其中移动该阳极与该电接触,俾随着 阳极与电接触移动该晶圆前侧。图式简单说明: 图1阐释以铜披覆之晶圆或基板之已知结构。 图2为一种晶圆或基板接触之横剖侧视图。 图3为本发明可利用之装置全貌示意图。 图4所示为在一种具与晶圆表面之电接触之元件中 ,所采用之电接触具体实施例。 图5所示为另一电接触。 图6为与图2类似之横剖侧视图,但所示之晶圆的边 缘除外范围已缩减。 图7.8与9所示为各个别电接触分布。 图10所示为另一电接触。 图11所示为另一电接触。 图12所示仍为另一电接触。 图13所示为又一电接触。 图14为如图13所示之单一电接触示意图,其在电场 施加期间,与晶圆表面相接触。 图15所示为与图12及13类似之另一电接触的一部份, 但其中的滚体及滚体支撑体的尺寸相异。 图16系自上述经电镀之晶圆或基板观之,采用依本 发明之电接触环绕于圆形阳极面之示意图。 图17为图16之总成之侧视示意图,但为简明,其中仅 示出电接触之一。 图18所示为电解液密封位置,刚好位在晶圆周边,可 使整个晶圆面均被电镀,无边缘除外范围。 图19所示为另一电解液密封位置,其位于晶圆表面 上,背向电解液,可使整个晶圆面均被电镀,无边缘 除外范围。 图20为与图16类似之图,但其中的电接触具另一配 置。 图21为图20之横覆于阳极板上之多孔垫,以及电接 触之顶视图。 图22为与图16类似之图,但所示为一非圆形阳极面 之示例。 |
