| 发明名称 |
Gunn-Effekt-Halbleiterbauelement wie ein Hetero-Bipolar-Transistor (HBT) zur frequenzvariablen Schwingungserzeugung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE20112286(U1) |
申请公布日期 |
2002.08.29 |
| 申请号 |
DE20012012286U |
申请日期 |
2001.07.25 |
| 申请人 |
FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L29/08;H01L29/737;H01L47/02;H03B7/06;(IPC1-7):H01L29/737 |
主分类号 |
H01L29/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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