发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
摘要 Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben. Um ein Schicht-Abschälen in einer solchen Halbleitervorrichtung mit wenigstens einer ferroelektrischen Schicht (14) und einer darauf gebildeten oberen Elektrode (17) zu verhindern, während die elektrischen Eigenschaften der ferroelektrischen Schicht (14) beibehalten werden, ist vorgesehen, dass die obere Elektrode (17) und die ferroelektrische Schicht (14) einen konvexen Bereich haben. Durch diese Gestaltung kann ein Schicht-Abschälen unterdrückt werden. Ein konvexer Bereich ist auf einer Schicht vorgesehen, jedoch kann auf einer Schicht auch eine Vielzahl von konvexen Bereichen vorhanden sein. Alternativ kann ein konkaver Bereich anstelle des konvexen Bereiches vorliegen.
申请公布号 DE10204644(A1) 申请公布日期 2002.08.22
申请号 DE20021004644 申请日期 2002.02.05
申请人 SHARP K.K., OSAKA 发明人 TOHDA, TOSHIYUKI
分类号 H01L27/105;H01L21/02;H01L21/8242;H01L21/8246;(IPC1-7):H01L27/105;H01L21/823 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
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