| 摘要 |
<p>본 발명은 강유전체 메모리 소자의 패드 오픈을 위한 보호막 식각 방법에 관한 것으로, 금속배선이 형성된 반도체기판 상부에 보호막으로서 하부산화막, 메탈커버층, 상부산화막, 나이트라이드막을 차례로 적층형성하는 제 1 단계, 상기 나이트라이드막 상부에 상기 메탈커버층에 대해 식각선택비를 갖는 산화막식각방지막을 형성하는 제 2 단계, 상기 산화막식각방지막 상부에 감광막패턴을 형성하는 제 3 단계, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 산화막식각방지막을 포함한 나이트라이드막, 상부산화막을 식각하는 제 4 단계, 상기 식각된 산화막식각방지막을 마스크로 하여 상기 메탈커버층을 식각하는 제 5 단계, 상기 제 5 단계 후 남은 상기 산화막식각방지막을 마스크로 하여 상기 하부산화막을 식각하는 제 6 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
