| 主权项 |
1.一种晶圆,包含:切痕区;可被安排在切痕区内的一对齐工具扫瞄之各标记;至少覆盖在切痕区的一部分内之模式充填。2.如申请专利范围第1项之晶圆,其中模式充填并不影响被对齐工具在各标记上之扫瞄。3.一种半导体装置,包含:一基体;至少在基体上所提供的一晶片区域;邻近晶片区域之各切痕区域;至少覆盖在切痕区域的一部分上之一充填模式;被安排在切痕区域内并可被一对齐工具读出之各标记,其中充填模式可被对齐工具从各标记中识别。4.如申请专利范围第3项之装置,其中充填,装置包含被未充填空间在其中间所限定的充填之各交错线。5.如申请专利范围第3项之装置,其中充填模式则为一致。6.如申请专利范围第3项之装置,其充填模式覆盖在整个切痕区上。7.如申请专利范围第4项之装置,其中各标记均为矩形。8.如申请专利范围第4项之装置,其中各充填线均对各标记安排在一角度上。9.如申请专利范围第7项之装置,其中各充填线及未充填空间之尺寸均在对齐工具之分辨极限以下。10.如申请专利范围第7项之装置,其中矩形大约为5微米(micron)宽及100微米长。11.如申请专利范围第9项之装置,其中各充填线及未充填空间大约为0.5微米宽。12.如申请专利范围第3项之装置,其中晶片区域之区域因素大约与切痕区之区域因素相同。13.如申请专利范围第3项之装置,其中充填模式包含紧接在未充填范围的固体充填之完全区域,而未充填范围则包括不会影响测量信号之一低水平充填在内。14.如申请专利范围第12项之装置,其中低水平充填包含充填之各点。15.如申请专利范围第13项之装置,其中各标记均被安排在未充填范围中之选择范围内。16.如申请专利范围第3项之装置,其中对齐工具越过切痕区之一测量范围,在测量范围内至少被安排一固体充填,而在切痕区之其余部分内则被安排充填模式。17.如申请专利范围第16项之装置,其中在测量范围内各标记部分则被安排在固体充填上,而各标记之其余区域则被安排在充填模式上。18.一种半导体装置,包含:具有各晶片区域及邻近各晶片区域的各切痕区域之一晶圆;安排在各切痕区域内之各标记;安排在切痕区域内之模式充填,具有一区域因素之切痕区域在实质上等于各晶片区域之一区域因素。19.如申请专利范围第17项之装置,其中模式充填包含固体充填及未充填范围之各区域。20.如申请专利范围第18项之装置,其中模式充填为一系列充填之各交错线。21.如申请专利范围第19项之装置,其中各充填线具有在一对齐工具之分辨极限以下之一宽度。22.如申请专利范围第18项之装置,其中模式充填及标记具有互相不平行之各边缘。23.如申请专利范围第17项之装置,其中模式充填被安排在一测量范围的外侧。图式简单说明:第1图为根据本发明之第一实例以说明一充填模式;第2图为根据本发明之第二实例以说明一充填模式;第2a图为第2图之放大视图;及第3图为根据本发明之第三实例以说明一充填模式。 |
