| 主权项 |
1.一种光罩图案设计方法,配置成制造单层抗蚀剂 图案时,藉由传送图案配置通过基板上涂着之复数 个抗蚀剂曝露,而校正复数种使用之光罩之至少一 者之图案配置,其特征为: 一第一光罩,使用该复数次曝露中之光干涉而用以 曝露,具有一第一阴影区域及互相相邻之第一半透 明区域; 一第二光罩,使用光干涉于该曝露之前或之后用以 曝露,具有一第二阴影区域及互相相邻之第二半透 明区域; 该第一阴影区域及该第二阴影区域在该第一光罩 及该第二光罩中之位置大致对齐; 该第一半透明区域及该第二半透明区域在该第一 光罩及该第二光罩中之位置大致对齐; 该第一阴影区域在该第一阴影区域及该第一半透 明区域之相邻对齐方向中作宽度校正;及 该第二阴影区域在该第二阴影区域及该第二半透 明区域之相邻对齐方向中作宽度校正。2.如申请 专利范围第1项之光罩图案设计方法,其中优先执 行该第二光罩中第二阴影区域之校正。3.如申请 专利范围第1项之光罩图案设计方法,其中该第一 光罩系一相移光罩。4.如申请专利范围第1项之光 罩图案设计方法,其中该第二光罩系一二位元光罩 。5.如申请专利范围第1项之光罩图案设计方法,其 中该单层抗蚀剂图案之图案配置分成具有大致相 同线宽及大致相同间距之诸图案配置。6.一种抗 蚀剂图案制造方法,藉由执行复数次曝露,包括:使 用一第一光罩及光干涉之第一曝露,及使用一第二 光罩之第二曝露,在一基板上涂附之抗蚀剂上制造 一单层抗蚀剂图案,其特征为: 一第一阴影区域形成在该第一光罩上及一第二阴 影区域形成在该第二光罩上,在第一光罩及第二光 罩上位置大致对齐;及 一第一半透明区域形成在该第一光罩上及一第二 半透明区域形成在该第二光罩上,在该第一光罩及 该第二光罩上位置大致对齐;及包括以下步骤: 藉由使用该第一光罩其在该第一阴影区域及该第 一半透明区域之相邻对齐方向中校正宽度,以传导 该第一阴影区域之第一曝露;及 藉由使用该第二光罩其在该第二阴影区域及该第 二半透明区域之相邻对齐方向中校正宽度,以传导 该第二阴影区域之第二曝露。7.如申请专利范围 第6项之抗蚀剂图案制造方法,其中优先执行该第 二光罩中第二阴影区域之校正。8.如申请专利范 围第6项之抗蚀剂图案制造方法,其中该第一光罩 系一相移光罩。9.如申请专利范围第6项之抗蚀剂 图案制造方法,其中该第二光罩系一二位元光罩。 10.一种半导体装置制造方法,藉由执行复数次曝露 ,包括:使用一第一光罩及光干涉之第一曝露,及使 用一第二光罩之第二曝露,在一半导体基板上涂附 之抗蚀剂上制造一抗蚀剂图案,及接着藉由使用抗 蚀剂图案作为一光罩以处理半导体基板,其特征为 : 一第一阴影区域形成在该第一光罩上及一第二阴 影区域形成在该第二光罩上,在该第一光罩及该第 二光罩上位置大致对齐;及 一第一半透明区域形成在该第一光罩上及一第二 半透明区域形成在该第二光罩上,在该第一光罩及 该第二光罩上位置大致对齐,及包括以下步骤: 藉由使用该第一光罩其在该第一阴影区域及该第 一半透明区域之相邻对齐方向中校正宽度,以传导 该第一阴影区域之第一曝露;及 藉由使用该第二光罩其在该第二阴影区域及该第 二半透明区域之相邻对齐方向中校正宽度,以传导 该第二阴影区域之第二曝露。11.如申请专利范围 第10项之半导体装置制造方法,其中优先执行该第 二光罩中第二阴影区域之校正。12.如申请专利范 围第10项之半导体装置制造方法,其中该第一光罩 系一相移光罩。13.如申请专利范围第10项之半导 体装置制造方法,其中该第二光罩系一二位元光罩 。图式简单说明: 图1的平面图显示一隔离图案的图案配置,用于根 据本发明实施例的相移光罩的ED窗评估; 图2的平面图显示一L/S图案的图案配置,用于根据 本发明实施例的二位元光罩的ED窗评估; 图3A及3B显示根据本发明实施例的相移光罩及二位 元光罩中的ED窗; 图4的流程图可说明根据本发明第一实施例的光罩 图案设计方法; 图5A的图形显示本发明实施例的隔离图案中的最 佳曝露变化,其发生是依重叠宽度而定,而图5B的图 形显示相同的变化其发生是依线宽而定; 图6的平面图显示根据本发明实施例校正后,相移 光罩的图案配置及隔离图案中的二位元光罩; 图7的平面图显示根据本发明实施例校正后,相移 光罩的图案配置及L/S图案中的二位元光罩; 图8A及8B显示根据本发明实施例校正后相移光罩及 二位元光罩中的ED窗;及 图9的共用ED窗是根据本发明实施例的隔离图案的 ED窗及L/S图案的ED窗所共用的。 |
