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<p>과전압 보호회로를 적절히 동작하여 신뢰도를 향상시킨다. 본 발명의 반도체 집적회로의 경우에, 입력초단회로 (50) 를 구성하는 nMOS 트랜지스터 (52) 의 소스전극 (52s) 은 접지배선 (54) 에 접속되고 과전압 보호회로 (10) 는 접지배선 (54) 과 nMOS 트랜지스터 (52) 의 게이트전극 (52g) 사이에 접속된다. 소스전극 (52s) 과 과전압 보호회로 (10) 사이의 배선저항은 매우 작다. 따라서, nMOS 트랜지스터 (52) 와 과전압 보호회로 (10) 의 인가 전압값은 과전압이 생성될 때 서로 같아지기 때문에, 과전압 보호회로 (10) 가 적절하게 동작하여 nMOS 트랜지스터 (52) 를 보호할 수 있다.</p> |
