| 主权项 |
1.一种研磨半导体晶片之研磨垫,该研磨垫包含有: 至少一曲线沟槽,设于研磨垫表面之上;以及 复数条线形沟槽,设于研磨垫表面之上并与该曲线 沟槽相交。2.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中 该曲线沟槽系为一螺旋状沟槽。3.如申请专利范 围第1项之研磨垫,其中该曲线沟槽系为不同半径 之同心圆。4.如申请专利范围第1项之研磨垫,其中 该线形沟槽系为一由该研磨垫之圆心向外呈放射 状分布的直线形沟槽。5.如申请专利范围第1项之 研磨垫,其中各该线形沟槽系为不平行于该研磨垫 之径向方向的线形沟槽。6.如申请专利范围第5项 之研磨垫,其中该线形沟槽系为一弧形沟槽。7.如 申请专利范围第1项之研磨垫,其中该研磨垫系安 置于一化学机械研磨机台之中,该研磨机台另包含 一调节器(conditioner),用来调节于研磨垫表面之研 磨液的分布状况,同时清除残留于该研磨垫表面之 研磨碎屑。8.一种使研磨液均匀分布于研磨垫表 面的方法,该方法包含: 于该研磨垫上形成至少一曲线沟槽;以及 于该研磨垫上复数条线形沟槽,与该曲线沟槽相交 ; 其中当该研磨液被加注于该研磨垫时,经由该油线 沟槽及该直线沟槽的导引,该研磨液将能均匀地分 布于该研磨垫表面。9.如申请专利范围第8项之方 法,其中该曲线沟槽系为一螺旋状沟槽。10.如申请 专利范围第8项之方法,其中该曲线沟槽系为不同 半径之同心圆。11.如申请专利范围第8项之方法, 其中该线形沟槽系为一由该研磨垫之圆心向外呈 放射状分布的直线形沟槽。12.如申请专利范围第8 项之方法,其中各该线形沟槽系为不平行于该研磨 垫之径向方向的线形沟槽。13.如申请专利范围第 12项之方法,其中该线形沟槽系为一弧形沟槽。14. 如申请专利范围第8项之方法,其中该研磨垫系安 置于一化学机械研磨机台之中,该研磨机台另包含 一调节器(conditioner),用来调节于研磨垫表面之研 磨液的分布状况,同时清除残留于该研磨垫表面之 研磨碎屑。图式简单说明: 图一为习知的半导体晶片的剖面图。 图二为习知化学机械研磨装置的结构示意图。 图三为习知研磨垫的俯视图。 图四则为图三沿4-4切线方向之研磨垫的剖视图。 图五为图一之半导体晶经平坦化制程之后的剖视 图。 图六为使用本发明之化学机械研磨装置的结构示 意图。 图七为本发明之研磨垫的俯视图。 图八为图七沿8-8切线方向之研磨垫的剖视图。 图九为本发明第二实施例之研磨垫的俯视图。 图十为本发明第三实施例之研磨垫的俯视图。 |
