发明名称 氧化物半导体热敏电阻及其制造方法
摘要 本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法。其主要是以铝锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体;加入乳化剂OP进行清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成,该热敏电阻为环氧密封单端引线珠状,具有体积小,稳定性好,可靠性高等特点,适用于电子。
申请公布号 CN1079570C 申请公布日期 2002.02.20
申请号 CN97122363.7 申请日期 1997.12.03
申请人 中国科学院新疆物理研究所 发明人 杨文;康健;张昭;任瑞霞;郑轶明;王大为
分类号 H01C7/00 主分类号 H01C7/00
代理机构 中国科学院新疆专利事务所 代理人 张莉
主权项 1、一种氧化物半导体热敏电阻的制造方法,其特征在于,该制造方法为:以分析纯摩尔百分比%铝3-5、锰80-45、镍15-52的硝酸盐或醋酸盐为原材料,采用液相共沉淀法制备材料粉体的沉淀液,沉淀液为浓度1%的铝、锰、镍盐溶液,加入重量1%的乳化剂OP,在剧烈的搅拌下,将沉淀剂均匀加入沉淀液中,沉淀完成后反复加入去离子水进行清洗并对溶液进行超声处理、烘干、热分解、磨细、预烧结、再进行预成型、冷等静压高温烧结制成;在操作中必需严格控制沉淀液和沉淀剂碳酸氢铵的浓度及二者之间量的比例。
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